首页> 外文期刊>Материаловедение >СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРЕМНИЯ Часть II
【24h】

СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРЕМНИЯ Часть II

机译:半导体硅技术的现代条件第二部分

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Продолжено рассмотрение современного состояния технологии полупроводникового кремния. Проанализированы особенности нового метода формирования приборных структур путем "прямого" термокомпрессионного соединения пластин и перспективы его дальнейшего развития. Значительное внимание уделено проблеме создания структур кремния на диэлектрике и анализу различных подходов к решению этой проблемы в применении к пластинам больших диаметров. Рассмотрены основные тенденции в развитии технологии выращивания кремниевых эпитаксиалъных структур, а также технологии создания малодислокационных эпи-таксиалъных гетероструктур SiGe/Si и SiGeC/Si. Обсуждаются наиболее актуальные проблемы ближайшего будущего.
机译:考虑到半导体硅技术的当前状态。通过板的“直接”热压化合物形成仪器结构的新方法的特征及其进一步发展的前景。对在电介质上产生硅结构的问题的问题得到了相当大的关注并分析在使用大直径到板的情况下解决该问题的各种方法。考虑了用于生长硅外延结构技术的主要趋势,以及用于创建小次次次次次齿载型外翻异性结构SiGe / Si和Sigec / Si的技术。讨论了不久的将来的最实际问题。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号