FETの寄生素子を考慮した伝送線路帰還FET発振回路のQファクタシミュレーションとSSB雑音測定

摘要

本研究では，伝送線路で帰還回路を構成したFET発振回路において，FETの寄生素子を考慮することでQファクタがより厳密に計算できることを，シミュレーション及びSSB雑音測定によって示す．具体例として伝送線路1本で帰還回路を構成したトポロジ，これに加えてFETのドレインにλ/2オープンスタブを装荷したトポロジ，ドレイン及びゲートにそれぞれλ/2オープンスタブを装荷したトポロジ，計3つのQファクタが異なるトポロジにおいて，発振条件，発振安定判別，Qファクタを計算した．この結果の妥当性を検証するために，回路を試作LSSB雑音測定を行い，QファクタとSSB雑音の関係を示した．測定の結果，Qファクタが高いトポロジほどSSB雑音が低くなることを確認した．また，それぞれの回路のSSB雑音はLeesonの式に示される理論に対して偏差0.17dBrmsの高精度で一致し，今回の検討が妥当であることを示した．