NiFe合金磁性膜を用いた応力磁気抵抗効果型歪センサの基礎検討

摘要

本研究では，MRセンサを歪みセンサとして応用する高分解能なマイクロ歪みゲージの開発を行っている．これは磁気抵抗効果と逆磁歪効果を利用するもので，応力の変化を抵抗値の変化として出力するものである．ここでは，応力印加に伴う磁気抵抗変化を応力磁気抵抗効果と呼ぶことにする．本報告では，負磁歪を有するNi{sub}87Fe{sub}13(at.％)薄膜の応力磁気抵抗効果について報告する．