トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ測定

摘要

近年、MgO薄膜を障壁層に用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子に関する研究が盛hに行われており、そのMR比は飛躍的に上昇した。 これらの素子は様々なデバイスへの応用が期待されるが、読み取りヘッドに利用する場合、1GHz以上の高周波領域で現れる磁気共鳴雑音（マグノイズ）が深刻な問題になると予想されている。 しかしながら、巨大なTMR比を示す強磁性トンネル接合(MTJ)のマグノイズを評価した報告例は、これまでほとhど無い。 本研究では、MgO障壁層を含むMTJの高周波領域でのマグノイズを測定する方法を開発し、特性評価を行った。