FeCoB/NiFe/Si薄膜における高周波透磁率特性の基礎検討

摘要

電子機器の駆動周波数の高周波化に伴い、高周波数帯での強磁性薄膜の透磁率特性の向上が近年ますます求められている。 GHz帯域において高透磁率を得るためには高飽和磁化、高異方性磁界を有する薄膜が必要となる。 我々はNiFe/Siのシード層上に対向ターゲット式スパッタ法で作製したFeCoB薄膜が高飽和磁化（約22kG）と高異方性磁界(～350 Oe)を両立する膜であることを見出してきた。 例えば350 Oeの異方性磁界を有するFeCoB/NiFe/Si薄膜の共鳴周波数は単純な計算でも7.4GHzと見積もることができ、FeCoB/NiFe/Si薄膜はGHz帯において駆動することができる有力な候補と考えられる。 今回、9GHzまでの高周波透磁率測定を行うことができ、実際の測定において期待された優れた高周波透磁率特性を得られ、高異方性磁界による高周波帯応用の可能性を確認したので報告する。