TMR素子のバーストノイズ

摘要

TMR (Tunnel magnetoresistance)素子は、近年ハードディスクの再生用磁気ヘッドやMRAMとして実用化が始まっている。 このTMR素子にはGMR (Giant magnetoresistance)素子では見られなかったバリア層起因の電気ノイズが存在することが知られており、現在までいくつかの報告がなされている。一方、半導体分野のMOSFETにおいて、酸化ゲート膜に起因した時間的に発生間隔が長い電気的ノイズ（以降、バーストノイズ）が観測され研究の対象となっている。 そこで、MOSPETと同様に酸化バリアを持ったAlO-TMR素子においてもバーストノイズが発生するかどうかについて調べた。