NXPセミコシダクターズ、携帯電話基地局向け高性能GaN RFパワートランジスターを関発、高出力、小サイズ、高周波数を実現

摘要

NXPセミコンダクターズN．V．は、次世代の携帯電話基地局で使用されるドハティパワーアンプ向けに最適化した48V窒化ガリウム（GaN）RFパワートランジスターの製品ラインナップを拡充した。4種類の新トランジスターは全体で1，805～3，600MHzの携帯電話周波数帯をカバーしており、高周波数と高性能を求める携帯電話事業者のニーズに対応している。