超低消費電力·超小型の化合物半導体光スイッチ開発

摘要

日本電信電話（NTT）と科学技術振興機構（JST）は、インジウム、ガリウム、ヒ素、リン（InGaAsP）化合物半導体フォトニッタ結晶を用いて、超小型の光スイッチを開発、420アトジュール（アトは1兆分の1の更た百万分の1）の超微小エネルギーによるスイッチ動作に世界で初めて成功した。この消費エネルギーは、これまでに開発された光スイッチと比べて200分の1以下となるものである。高ビットレートでのエネルギー消費のより少ない光情報処理ネットワーク技術を、マイクロプロセッサーの中に導入するフォトニック·ネットワーク·オン·チップが検討されており、今回開発したものは、高速動作を保ったまま、一段の小型化と低エネルギー化を実現したもので、本格的なチップ内光集積化に向けた大きなブレークスルーとなりそうだ。