Erドープファイバアンプ励起用0.98μm高出力半導体レーザ

摘要

高出力と高信頼性を兼ね備えたEr（エルビタム）をドープしたファイバアンプ（Erbium Doped Fiber Amplifier：EDFA)励起用の0.98μm半導体レーザを開発した。 1.55μm帯の光通信用中継器に用いられるEDFAは1.48μmレーザによる励起が主流であったが，より低雑音かつ高効率となる0.98μmレーザによる励起に置き換おりつつある。 特に低雑音化による中継間隔の長距離化には大きなメリットとなるが，0.98μmレーザは端面の光学的破壊（Catastrophic Optical Damage：CQD）による故障が最出力化·高信頼度化の障害となっていた。 今回開発した0.98μmレーザは，三菱電機独自のSi注入によるディスオーダを利用した窓構造を設け，端面における光吸収をなくすことによってCODを防止することができた。