Prドープフアイバアンプ励起用1.02μm高出力半導体レーザ

摘要

1.55μm帯の信号光に対するファイバ増幅器（EDFA)は，大都市間や大陸間といった幹線通信綱で既に実用化され,今後ますます増大する通信容量に対処するのに必要不可欠な技術となっている。 一方，1.3μm帯の信号光に対するファイバ増幅器は,まだ研究開発段階である。 利得の大きな希土類添加光ファイバ及び励起用の高出力かつ高信頼性を持つ半導体レーザの作製が困難なためである。 前者に関してはプラセオジム（Praseodymium：Pr）添加ファイバ，後者に関してはInGaAs/GaAs系1.02μmひずみ量子井戸半導体レーザが，それぞれ最も有力な候補として活発に研究されている。