サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価

摘要

我々はInAs/AlSb/AlGaSbヘテロ構造ダイオードを作製し，そのI-V特性を測定した．また，I-V特性より二乗検波による検出感度γを計算した。 その結果，AlSb障壁層を1 nmとしたものは検出感度γ=4.4V{sup}(-1)となり，2nmとしたものより約2倍良い値が得られた．また，Al{sub}xGa{sub}(1-x)Sb層のAl組成Xを0.1，0.15，0.2としたものでは，xが大きくなるほど負性抵抗の現れる電圧値が低電圧側にシフトし，特にx=0.2の試料では順方向電流が抑えられる結果が得られ，検出感度γ=1.2V{sup}(-1)が得られた．さらに検出感度γを高めるにはAl組成xを0.2よりも高く，また，AlSb膜厚yを薄く設計することが望ましいと考えられる．また，現在段階では行っていないGaSb層へのSiドーピングの検討も必要と考えられる。