二重構造ハロゲン化銀粒子の増感機構における転位線の効果

摘要

高ヨウ素含量のヨウ臭化銀コアーと，その外側に臭化銀のシェルから成る二重構造粒子（DSG：Double Structure Grain）では，バンド構造において，価電子帯がコア一部でシェル部よりも高くなり，光正孔がコアーに移動する事により，電子―正孔の電荷分離が行なわれ，その結果両者の再結合が有効に防がれて感度上昇を実現できると提案されてきた．それに対して，本研究によって，このDSG粒子には，コアー／シェル界面での格子のミスフィットに起因して発生する多数の転位線が存在し，この転位線がDSG粒子の物性及び写真特性を決定している事が明らかにされた．ハロゲン化銀粒子中の転位線は，高い写真感度を実現する為の非常に重要な手段である事が解った．