机译:用于光子应用的Ge2SB2Te5相变材料的Terahertz光谱表征
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol ASIT Nanoelect Res Inst Tsukuba Cent 5 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Osaka Univ Inst Laser Engn Suita Osaka 5650871 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol ASIT Nanoelect Res Inst Tsukuba Cent 5 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol ASIT Nanoelect Res Inst Tsukuba Cent 5 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol ASIT Nanoelect Res Inst Tsukuba Cent 5 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol ASIT Nanoelect Res Inst Tsukuba Cent 5 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci &
Technol ASIT Nanoelect Res Inst Tsukuba Cent 5 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Osaka Univ Inst Laser Engn Suita Osaka 5650871 Japan;
机译:用于光子应用的Ge2SB2Te5相变材料的Terahertz光谱表征
机译:结晶初期的从头算计算机模拟:在Ge2Sb2Te5相变材料中的应用
机译:掺钛的Ge2Sb2Te5材料在相变存储应用中的优势
机译:电介质材料在相变存储器中的Ge2SB2Te5薄膜的结晶行为和界面反应
机译:混合表面活性剂中间相的光谱表征及其在材料合成中的应用。
机译:相变材料Ge2Sb2Te5中温度驱动的拓扑量子相变
机译:活性太赫兹光子硫化物相变材料