ひずみSOI－MOSFETとその作製プロセス

摘要

90nmノード以降のCMOS微細化においては、単位ゲート幅あたりのトランジスタの駆動力を向上するための技術としてひずみSi－CMOS技術が注目されている。 我々は、このひずみSiとSOI構造を組み合わせたひずみSOI-CMOSを世界に先駆けて開発し、CMOSリングオシレータの高速動作を実証した。 以下に、このひずみSOI－CMOSの製造方法、電気特性と課題についてまとめる。