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SEMI Technology Symposium2004レビュー-65nmプロセス以降の注目技術の動向

机译:半技术SympoSium2004从65纳米工艺以来的关注技术综合课程

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摘要

SEMICONJapan2004期間中に開催されたSemi Technology Symposium (STS)2004では,45nmプロセス世代における実用化を目指したマスク技術や65nmプロセス以降で実用化するデバイス技術,重要性の増しているテスト技術,液浸ArFを中心としたリソグラフィ技術,微細化によるRC遅延や電流密度の増大などが課題の多層配線,ゲートのエッチングやhigh-kゲート絶縁膜形成が問題のフロントエンドプロセス,量子コンピュータの実用化などに向けたナノテクノロジー,モバイル機器をターゲットとしたパッケージング技術などをテーマに3日間にわたって議論が繰り広げられた。
机译:在半导体学讨论会(STS)2004年期间举行的半导体2004年,试验技术,浸入式ARF,它在45 nm工艺一代和65纳米工艺和超过65nm的过程中进行了实际应用。光刻技术,程度由于小型化,电流密度等增加的RC延迟是多层布线,栅极蚀刻和高k栅极绝缘膜的形成,以及量子计算机的实际应用等。讨论在3天内举行包装技术的主题,其针对移动设备和移动设备。

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