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机译:包含铟,掺杂在Inxga1-xn / inyga1-yn量子孔的屏障中,揭示了具有电流的发射性能,以便更好地运行LED
Univ Calcutta Inst Radiophys &
Elect 92 APC Rd Kolkata 700009 India;
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InGaN QW diodes; Current density; Piezoelectric field; Transition energy;
机译:包含铟,掺杂在Inxga1-xn / inyga1-yn量子孔的屏障中,揭示了具有电流的发射性能,以便更好地运行LED
机译:铟掺杂势垒对InGaN / AlGaN增强近紫外发射的影响:在Si(111)上生长的多个量子阱中
机译:通过X射线衍射和反射率精确测定(InxGa1-xN / GaN,)多量子阱结构中铟的掺入及其对光学性能的影响
机译:具有各种硅掺杂条件的高铟含量ingan / GaN量子阱的扩增自发排放的特征
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:用于平板X射线源应用的大面积铟掺杂ZnO纳米线发射器阵列的高电流场发射
机译:InxGa1-xN多量子阱LED中量子阱数和掺杂作用的仿真