机译:电感耦合等离子体暴露下的GaN发光的比较研究
China Jiliang Univ Dept Phys Hangzhou 310018 Zhejiang Peoples R China;
China Jiliang Univ Dept Phys Hangzhou 310018 Zhejiang Peoples R China;
China Jiliang Univ Dept Phys Hangzhou 310018 Zhejiang Peoples R China;
Chubu Univ Coll Engn Kasugai Aichi 4878501 Japan;
Chubu Univ Coll Engn Kasugai Aichi 4878501 Japan;
GaN; photoluminescence; plasma-induced damage;
机译:电感耦合等离子体暴露下的GaN发光的比较研究
机译:电感耦合等离子体刻蚀GaN的正电子an没和阴极发光研究
机译:使用BCl_3 / Cl_2化学方法对GaN进行电感耦合等离子体刻蚀,并对刻蚀样品进行光致发光研究
机译:氩射频感应耦合等离子体,氮高功率微波诱导等离子体以及氩或氮辉光放电等离子体中激发机理的比较研究
机译:末端感应电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)和直接样品插入电感耦合等离子体原子发射光谱仪(DSI-ICP-AES)的研究。
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:用于热废物处理系统玻璃渣过程监测的X射线荧光(XRF)技术评价:XRF和电感耦合等离子体光谱法分析Ce,Fe和Cr等离子体炉渣的比较研究
机译:用于热废物处理系统中玻璃渣过程监测的X射线荧光(XRF)技术评价:XRF和电感耦合等离子体光谱法分析Ce,Fe和Cr等离子体炉渣的比较研究