...
机译:使用200meV Ag15 +离子SiO2薄膜的非晶化
North Maharashtra Univ Dept Elect Jalgaon 425001 MS India;
North Maharashtra Univ Dept Elect Jalgaon 425001 MS India;
North Maharashtra Univ Dept Elect Jalgaon 425001 MS India;
Korea Univ Dept Mech Engn Seoul 136713 South Korea;
Inter Univ Accelerator Ctr Aruna Asaf Ali Marg New Delhi 110067 India;
North Maharashtra Univ Dept Elect Jalgaon 425001 MS India;
Thin film; Irradiation; Amorphization; AFM; Sol-gel;
机译:使用200meV Ag15 +离子SiO2薄膜的非晶化
机译:铁氧体镍薄膜中200 MeV Ag15 +离子诱导非晶化的研究
机译:200 MeV Ag15 +离子辐照对Mg0.95Mn0.05Fe2O4铁氧体薄膜结构和磁性的影响
机译:200MeV AG15 +辐照的BixCo2-XMNO4薄膜的结构和磁性特征
机译:不混溶的铜铌合金薄膜的非晶化和失透。
机译:SiO2钝化层提高热致变色VO2薄膜的可见光透射率及其光学特性
机译:Mev Si离子和热退火对SiO2 / SiO2 + Ge多层纳米薄膜热电和光学性能的影响
机译:用于热电器件的超晶格siO2 / siO2 + Ge多层薄膜。