机译:三金属三栅极分级频道高k儿子TFET的3-D分析建模,提高性能
Jadavpur Univ Dept Elect &
Telecommun Engn Kolkata 700032 India;
Jadavpur Univ Dept Elect &
Telecommun Engn Kolkata 700032 India;
Jadavpur Univ Dept Elect &
Telecommun Engn Kolkata 700032 India;
Triple metal graded channel (TM-GC); 3-D Poisson's equation; Tunneling width; Gate-stack; Silicon-on-nothing (SON) TFET; Three-dimensional (3-D) modeling;
机译:三金属三栅极分级频道高k儿子TFET的3-D分析建模,提高性能
机译:三金属异介电介质DG儿子TFET的分析模型
机译:二维(2D)分析建模和改进的分级通道栅极堆叠(GCGS)双材料双栅极(DMDG)MOSFET的简短信道性能
机译:具有渐变通道工程的双金属前栅叠层三栅SON-TFET的3D分析建模
机译:高k门堆叠在化合物半导体通道材料上,用于低功耗,高性能数字逻辑应用
机译:一种新型多拔鳍形SiGe SiGe通道TFET性能提高
机译:具有3-D Tri-Gate和高k /金属栅极的22nm SoC平台技术,针对超低功耗,高性能和高密度SoC应用进行了优化
机译:用于中性光谱仪的大面积三层微通道板检测器的改进性能III