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Analytical Method of Small-Sized Module Stress Mura Based on the Finite-Element Simulation

机译:基于有限元模拟的小型模块应力村的分析方法

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摘要

Uneven brightness (Mura) will be observed in edge of active area (AA) which position corresponding to side of IC. This light leakage phenomenon is due to thermal stress after COG bonding. Discussing the mechanism and defining a method to evaluate quantitatively. It can be extended to study other stress Mura.
机译:在有源区域(AA)的边缘中将观察到不均匀的亮度(Mura),该位置对应于IC侧的位置。 这种漏光现象是由于COG键合后的热应力。 讨论机制并定义定量评估方法。 它可以扩展到研究其他压力村庄。

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