低転位GaN基板を用いた青色LEDの高効率化

摘要

電流密度の増加に伴う外部量子効率低下のメカニズムは明らかになっていないが、電流密度を上げるとキャリアがIn組成の高い領域からあふれて転位で非発光再結合するようになり、発光層の発光効率が低下するという可能性が考えられる。もしそうであれば、低転位GaN基板を用いることによって、高電流密度での外部量子効率低下の改善が可能である。そこで本稿では、InGaN系青色LEDにおける低転位GaN基板の効果検証および高電流密度における外部量子効率向上を目的として、GaN基板上とサファイア基板上にLEDを作製、比較した結果について述べ、低転位GaN基板上青色LEDにおける高電流密度での高効率化について報告する。