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机译:从UV到太赫兹的氮化物半导体的光电器件与技术
Boston Univ Dept Elect &
Comp Engn Photon Ctr Div Mat Sci &
Engn Boston MA 02215 USA;
Boston Univ Dept Elect &
Comp Engn Photon Ctr Div Mat Sci &
Engn Boston MA 02215 USA;
nitride semiconductors; LEDs; electroabsorption modulators; lasers; Intersubband devices; photodetectors;
机译:从UV到太赫兹的氮化物半导体的光电器件与技术
机译:扩展缺陷对氮化物半导体中光电器件性能的作用
机译:光电器件的氮化物-有机半导体混合异质结构
机译:III型氮化物光电设备:从紫外线检测器和可见光发射器到太赫兹子带间设备
机译:基于III族氮化物半导体中子带间跃迁的太赫兹光电器件。
机译:太赫兹时域光谱法测量不同衬底上单层六方氮化硼的光电性能
机译:用于光电子材料和器件研究的III-锑化物/氮化物基半导体:LDRD 26518最终报告。