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机译:紧张葛翅片结构上超薄Si钝化层的外延CVD生长
Imec B-3001 Leuven Belgium;
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机译:紧张葛翅片结构上超薄Si钝化层的外延CVD生长
机译:在超净低压CVD中,PH_3和Si_2H_6在应变的Si_(1-x)Ge_x / Si(1 0 0)上交替发生表面反应,从而使P原子层掺杂的Si膜外延生长
机译:GaAs(001)表面二维应变InAs外延层的原子结构:量子点生长的原位观察
机译:紧张葛翅片结构上超薄Si钝化层的外延CVD生长
机译:银(001)和银(111)上超薄外延铬和氧化铁膜的生长和结构:通过X射线光电子衍射和低能电子衍射完成的综合研究。
机译:多层氮掺杂外延生长法制备的CVD单晶金刚石的界面和力学性能
机译:si(111)上超薄Ni层的初始生长过程和外延生长的Nisi2的电子结构