机译:基于聚类的化学气相沉积工艺设备条件模型
Korea Univ Sch Ind Management Engn Seoul 02841 South Korea;
Chungnam Natl Univ Sch Mech Engn Daejeon 34134 South Korea;
Korea Univ Sch Ind Management Engn Seoul 02841 South Korea;
Chemical vapor deposition (CVD) process; Health condition monitoring; Predictive maintenance; Semiconductor manufacturing process; Clustering;
机译:基于聚类的化学气相沉积工艺设备条件模型
机译:使用动力学蒙特卡洛模型和微波等离子体和热丝化学气相沉积反应器的二维模型模拟化学气相沉积金刚石膜的生长
机译:通过均质化技术进行化学气相沉积的设备规模模型和特征规模模型的组合
机译:使用多工艺模拟器在化学气相沉积中自动反应建模
机译:气相化学动力学和化学气相沉积过程的详细建模(硅表位,二氯硅烷)。
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:用均匀化技术结合化学气相沉积的设备尺度和特征尺度模型