机译:第三代HGCDTE红外焦平面阵列光电探测器的蚀刻诱导损伤的结位光电子表征
Anhui Univ Sch Phys &
Mat Sci Hefei 230601 Anhui Peoples R China;
Chinese Acad Sci Shanghai Inst Tech Phys Key Lab Space Act Optoelect Technol Shanghai 200083 Peoples R China;
Anhui Univ Sch Phys &
Mat Sci Hefei 230601 Anhui Peoples R China;
Chinese Acad Sci Shanghai Inst Tech Phys Key Lab Infrared Imaging Mat &
Detectors Shanghai 200083 Peoples R China;
HgCdTe infrared photodetector; Infrared focal plane arrays; Laser beam induced current (LBIC); Dry etching damages;
机译:第三代HGCDTE红外焦平面阵列光电探测器的蚀刻诱导损伤的结位光电子表征
机译:HgCdTe红外焦平面阵列在硅衬底上的分子束外延生长,用于中波红外应用
机译:HgCdTe红外焦平面阵列在硅衬底上用于中波红外应用的分子束外延生长
机译:SITP中超长波长HgCdTe红外光电探测器和HgCdTe APD暗电流表征的最新进展
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:金属纳米孔阵列的表面等离激元效应实现量子点红外光电探测器的高光子吸收率
机译:双层石墨烯/ HGCDTE非常长的红外光电探测器,外部量子效率优异,响应性和探测器