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机译:辐射损伤诱导的阶段:使用紫外线照射具有发光二极管的案例研究
ESRF 71 Rue Martyrs F-38000 Grenoble France;
Univ Grenoble Alpes CNRS CEA UMR 5168 DSV INRA iRTSV Lab Physiol Cellulaire &
Vegetale F-38054 Grenoble France;
European Mol Biol Lab 71 Ave Martyrs CS 90181 F-38042 Grenoble 9 France;
ESRF 71 Rue Martyrs F-38000 Grenoble France;
European Mol Biol Lab 71 Ave Martyrs CS 90181 F-38042 Grenoble 9 France;
light-emitting diodes; radiation damage; RIP; phasing; SIR; ultraviolet light; disulfide bonds; UV;
机译:辐射损伤诱导的阶段:使用紫外线照射具有发光二极管的案例研究
机译:紫外抽运白光二极管单相可调谐YNbO_4:Bi〜(3 +),Eu〜(3+)荧光粉的设计,发光和能量转移
机译:用于UV发光二极管的单相三基色白色发光Ca_6BaP_4O_(17):Sm〜(3 +),Ce〜(3 +),Eu〜(2+)荧光粉
机译:基于紫外线发光二极管的荧光相位传感器的优化
机译:建模中子辐射对双极晶体管和红外发光二极管的影响
机译:辐射损伤诱导的定相:以紫外线照射发光二极管为例
机译:辐射损伤诱导的定相:以紫外线照射发光二极管为例