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机译:双断式真空断路器偏压对真空电弧的影响
当双击真空断路器(VCB)中断故障电流时,串联弧将在不同的断裂中产生各个磁场。如果磁场足够强或两个断裂非常接近,则一个断裂中的磁场将在另一个断裂中影响弧。在这种情况下,发生交互式磁场效果。该字段也称为偏置磁场(BMF)。 BMF可能导致阳极侵蚀并影响当前零时的性能。通过使用ANSoft Maxwell软件的电磁场仿真获得BMF的分布和双衰频VCB的最佳配置。基于模拟磁场数据,在实验中,双断液VCB中的串联真空弧之间的相互作用等同于单个真空弧和由亥姆霍兹线圈产生的磁场之间的相互作用。使用高速CMOS相机用于在具有不同类型的触点的不同BMF下记录真空电弧等离子体的轨迹。结果显示BMF可以增加电弧电压,电弧变得不稳定。当BMF变得更强时,电弧电压增加,并且电弧变得更不稳定。另外,对于不同类型的触点,在相同的BMF下,电弧的开发过程和影响水平不同。对于WAN型横向磁场(TMF)接触或强BMF,金属溅射是明显的,并且阳极腐蚀变得严重。对于杯式轴向磁场(AMF)触点,BMF对双突变VCBS中串联电弧等离子体的影响小于WAN型TMF接触。这项工作的结果可能有助于设计紧凑的双破VCBS。 p> 摘要>
School of Electrical Engineering Dalian University of TechnologyDalian China;
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arc voltage; double‐break VCBs; field distribution; Helmholtz coil; series arc plasma;
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