机译:基于电压自控翅片场效应晶体管段的低功耗三元内容可寻址存储器设计
Ternary content-addressable memory (TCAM); Leakage power; Dynamic voltage control; Fin field-effect transistor (FinFET); Low power;
机译:基于电压自控翅片场效应晶体管段的低功耗三元内容可寻址存储器设计
机译:基于九晶体管/双磁隧道结单元的低能耗非易失性三元内容可寻址存储器的设计
机译:基于碳纳米管场效应晶体管的低备用电源和高速三元存储器的设计
机译:(07E336)设计270PS访问7晶体管/ 2磁隧道结电池电路,用于高速搜索的非易失性三元内容可寻址存储器
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:AlAs / GaAs缓冲架构在Si上外延Ge的异质集成:适用于低功率鳍式场效应晶体管
机译:低功耗三元内容可寻址内存使用匹配行和搜索线的功率降低