机译:通过CO3O4:TM(TM = Ni,Mn,Cu)薄膜进行各种过渡金属掺杂调节物理性质:比较研究
Ibn Khaldoun Univ Tiaret Lab Phys Engn Tiaret 14000 Algeria;
Ibn Khaldoun Univ Tiaret Lab Phys Engn Tiaret 14000 Algeria;
Ibn Khaldoun Univ Tiaret Lab Phys Engn Tiaret 14000 Algeria;
Ibn Khaldoun Univ Tiaret Dept Phys Tiaret 14000 Algeria;
Ibn Khaldoun Univ Fac Sci Matter Dept Chem Tiaret 14000 Algeria;
Cobalt oxide; Transition Metal (TM)-doping; Sol-gel; Thin films;
机译:通过CO3O4:TM(TM = Ni,Mn,Cu)薄膜进行各种过渡金属掺杂调节物理性质:比较研究
机译:通过各种过渡金属掺杂在ZnO / Tm(Tm = Fe,FeCo,Cr和Mn)薄膜中调节结构对光学和磁性的影响
机译:过渡金属掺杂的Gd 2 Fe 16 Ga 0.5 TM 0.5金属间化合物(TM = Cr,Mn,Co,Ni,Cu和Zn)的结构,磁性和M?ssbauer研究
机译:过渡金属的合成和结构表征掺杂MgO:Mg0.95mN_(0.01)Tm_(0.04)O(Tm = Co,Ni,Cu)
机译:在Cu / SiLK(TM)金属化方案中,集成非晶钽氮化硅(TaSiN)薄膜作为扩散阻挡层。
机译:过渡金属(TM)掺杂对YMn0.917TM0.083O3六角体系中结构和磁性的影响
机译:结构,过渡金属的磁学和研究穆斯堡尔掺杂Gd2Fe16Ga0.5Tm0.5金属间化合物(Tm =铬,锰,钴,镍,铜,和锌)
机译:mg-Tm-X合金中mg基金属玻璃的形成和性质(Tm = Cu或Ni; X = sn,si,Ge,Zn,sb,Bi或In)