首页> 外文期刊>Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics >Size Effect in the Electrical Conductivity of Thin Films of Topological Insulator Bi 2Se 3
【24h】

Size Effect in the Electrical Conductivity of Thin Films of Topological Insulator Bi 2Se 3

机译:拓扑绝缘体薄膜电导率的尺寸效应Bi <下标> 2 SE <下标> 3

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

The electrical resistivity of thin films of topological insulator (TI) Bi~(2)Se~(3)10 to 75 nm thick is measured in the temperature range of 4.2 to 300 K. A size effect is observed in the electrical conductivity of the Bi~(2)Se~(3)films; i.e., there is a linear dependence of a film’s conductivity on its inverse thickness. It is assumed that a similar effect can be observed in other TIs and in systems with nonuniform distributions of current over the cross section of a sample.
机译:在4.2至300k的温度范围内测量拓扑绝缘体(Ti)Bi〜(2)Se〜(2)Se〜(3)Se〜(3)10至75nm厚的电阻率。在电导率的电导率下观察到尺寸效果 Bi〜(2)SE〜(3)薄膜; 即,胶片的电导率对其反向厚度的线性依赖性。 假设可以在其他TIS和系统中在样品的横截面上的横截面上的不同效果和系统中观察到类似的效果。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号