机译:拓扑绝缘体薄膜电导率的尺寸效应Bi <下标> 2 下标> SE <下标> 3 下标>
Mikheev Institute of Metal Physics Ural Branch Russian Academy of Sciences;
Mikheev Institute of Metal Physics Ural Branch Russian Academy of Sciences;
National Cheng Kung University;
Mikheev Institute of Metal Physics Ural Branch Russian Academy of Sciences;
机译:拓扑绝缘体薄膜电导率的尺寸效应Bi <下标> 2 下标> SE <下标> 3 下标>
机译:取向对Bi <3.15 Subscript> Nd <0.85 Tiscript> Ti <2.99 Subscript> Mn <0.01> O
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机译:激光能量密度对高度取向拓扑绝缘体生长的作用Bi_2se_3薄膜
机译:半磁性半导体合金Cd [下标x] Zn [下标y] Mn [下标z] Se的一些性质(x + y + z = 1)
机译:Bi2Se2Te拓扑绝缘体薄膜的拓扑离域和表面通道间距的调整
机译:室温下拓扑绝缘体(Bi [下标0.22] sb [下标0.78])[下标2] Te [下标3]薄膜的狄拉克表面态主导自旋电荷转换