低ノイズ&高効率パワー回路の実験(12)クラス·アンプの製作（後編）

摘要

前回（第11回，2004年12月号）は，3.5MHz，150W のEクラス·アンプの基本回路を設計しました．今回はパワーMOSFETやLC部品の選択方法，定数設計の方法を解説したのち，実際にパワー·アンプを製作し動作させます．前回掲載した3.5MHz，150Wアンプの全回路図（図11－2）を図12－1に示します．前回掲載したとおり，主なスペックは周波数f{sub}(sw)＝3.5MHz，出力P{sub}(out)＝150W，R{sub}(La)＝12.5Ω，R{sub}L＝50Ω，電源電圧V{sub}(DD)＝0～50Vです．