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(J053)VO2 膜の正方晶-単斜晶変態に対する格子歪の効果

机译:(J053)VO2膜 - 膜 - 晶格应变对单泡脂的影响

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摘要

VO2 は室温近傍で金属-絶縁体相転移を示すことから、材料物性に関わる基礎研究のみならず、デバイス開発の面からも広く注目を集めている。VO2 の金属-絶縁体相転移は、正方晶-単斜晶型の格子変態と同時に起こる。この格子変態は一次の相変態であるために、相変態温度は結晶に負荷される応力(結果的に結晶が被る歪の状態)に依存する1)。例えばバルク結晶と比べて、単結晶基板上に成膜したVO2 薄膜では界面近傍の格子歪によって相変態温度域が広がるという報告がある。本研究では、透過電子顕微鏡を用いてVO2 膜の結晶学的微細構造、特に基板との界面近傍に残存する正方晶相の存在形態を明らかにすることを目的とした。
机译:VO2金属在接近室温 - 由于它们表现出绝缘体过渡,而不仅具有与材料特性有关的基本研究,因此在设备开发方面引起了广泛的关注。 VO2金属 - 绝缘体过渡是四边形 - 与单斜晶形式重合的晶格转化。 对于该晶格变换是线性相变,相变温度取决于要加载到晶体中的应力(所得晶体的状态遭受变形)1)。 例如,与散装晶体相比,据报道,通过晶格应变的相变温度范围在界面附近的晶格菌株在形成在单晶基板上形成的VO2薄膜中。 在该研究中,我们旨在使用透射电子显微镜揭示VO2膜的晶体显微组织,四边形相的存在形式特别留在与基板的界面附近。

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