三菱電と東大、SiCパワー半導体素子開発 電磁ノイズ耐性向上

摘要

三菱電機と東京大学の研究グループは、機器の誤動作の原因となる電磁ノイズの耐性化につながり、省エネルギー効果があるSiC(炭化ケイ素)パワ一半導体の素子 を開発した。素子内に硫黄元素を添加することで、外部からの電磁 ノイズの耐性向上につながることを実証。素子の誤動作が減り、自 動車や産業機器などへのSiCパワ 一半導体の普及が期待される。