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机译:在2D金属/半导体界面中调整P型肖特基屏障:MOSE2和WSE2上的硼 - 纸张
Univ Fed Uberlandia Inst Fis CP 593 BR-38400902 Uberlandia MG Brazil;
Univ Fed Uberlandia Inst Fis CP 593 BR-38400902 Uberlandia MG Brazil;
CNPEM Brazilian Nanotechnol Natl Lab BR-13083970 Campinas SP Brazil;
borophene; dichalcogenides; density functional theory;
机译:在2D金属/半导体界面中调整P型肖特基屏障:MOSE2和WSE2上的硼 - 纸张
机译:掺杂物隔离金属/半导体界面处肖特基势垒调谐的图像电荷和偶极子组合模型
机译:合金化2D金属-半导体异质结:界面态减少和肖特基势垒降低的起源
机译:金属/半导体交界处的能隙状态控制物理;肖特基势垒和界面缺陷
机译:理解和改进基于2D MOS2的肖特基结的金属半导体界面
机译:Van der Waals金属-半导体结:弱费米能级钉扎可有效调整肖特基势垒
机译:二维铁磁体/半导体过渡金属二硫化碳触点:p型肖特基势垒和自旋注入控制