机译:金属氧化物半导体光电性能预测介电学杂交功能的精度:与许多身体GW和实验的全面比较
Univ Chicago Inst Mol Engn Chicago IL 60637 USA;
Politecn Milan Dept Energy Via Ponzio 34-3 I-20133 Milan Italy;
Univ Milano Bicocca Dipartimento Sci Mat Via R Cozzi 55 I-20125 Milan Italy;
Univ Milan Dipartimento Fis Via Celoria 16 I-20133 Milan Italy;
Univ Milano Bicocca Dipartimento Sci Mat Via R Cozzi 55 I-20125 Milan Italy;
transition metal oxides; dielectric-dependent hybrid functionals; GW; defects in oxides; oxide surfaces and interfaces;
机译:金属氧化物半导体光电性能预测介电学杂交功能的精度:与许多身体GW和实验的全面比较
机译:通过依赖于电介质的混合DFT功能计算半导体中的缺陷:金属氧化物中氧空位的情况
机译:3D金属氧化物的带隙和混合密度函数理论的拟氧化物材料:介电依赖性功能优越吗?
机译:使用原位同步辐射照射的高迁移率半导体对氧化物/金属的互通电子表征及与界面电性能的相关性
机译:过渡金属杂质对稀磁性氮化物半导体和高性能微波氧化物电介质的功能特性的作用。
机译:自洽混合函数计算:对氧化物半导体的结构电子和光学性质的影响
机译:氧化物半导体的电子结构和相稳定性: 基于电介质的混合功能DFT的性能,基准测试 反对$ GW $带结构的计算和实验