机译:片上栅极静电放电保护设计900 V电力金属氧化物半导体场效应晶体管使用冲孔二极管,无降低开关损耗
Korea Univ Dept Elect Engn KS013 Seoul South Korea;
Powercubesemi Inc Res &
Dev KS009 Bucheon Si Gyeonggi Do South Korea;
On-Chip; ESD Protection; Power MOSFET; Punch-Through Diode; Gate Capacitance;
机译:片上栅极静电放电保护设计900 V电力金属氧化物半导体场效应晶体管使用冲孔二极管,无降低开关损耗
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