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クラスタービームを用いたイオン注入装置を商品化

机译:商业化离子植入设备使用班级梁

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摘要

日新イオン機器は高エネルギーイオン注入装置などの既存のイオン注入装置では実現困難であった接合深さ9mm以下の極浅接合形成に必要とされる300eV以下の極低エネルギー,高電流ビーム注入を可能としたクラスターイオン注入装置「CLARIS」を世界で初めて製品化した。
机译:Nisshin离子设备是300eV或更小的高电流光束注入,高电流光束注入,电气接线形成需要9mm或更小的连接深度,这难以用高能离子注入装置实现。可能的聚类离子植入装置“Claris”是世界上第一次商业化的。

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