<![CDATA[Synthesis and Transistor Application of Bis[1]benzothieno[6,7-d:6′,7′-d′]benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophenes]]>

Shuhei Nishinaga; Hiroki Mori; Yasushi Nishihara

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机译：<！[CDATA [BIS [1]苯并噻吩的合成和晶体管应用[6,7- D ：6'，7' - D ']苯并[1,2 - b ：4,5- b '二苯硒]]]>

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机译：<！[CDATA [四个BIS [1]苯并噻吩[6,7- D：6'，7' - D']苯并[1,2- B：4,5- B']合成分子长轴上的取代基的二噻吩（BBTBDT）衍生物，并评估其晶体管性能。在所得化合物中，基于β-PTS改性的Si / SiO_（2）衬底上的2,9-二苯基取代的衍生衍生物（ 1d）的OFET器件产生了最佳的形态和晶体结构，从而最高空穴迁移率，高达0.16cm〜（2）V〜（-1）S〜（-1），以及在固态的固态中的低阈值电压， 1d形成高度有序和结晶边缘结构，便于有效的载体运输。 GIWAXS分析，原子力显微镜测量和理论计算还公开了详细的结构性质关系。]]> 展开▼

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来源
《The Journal of Organic Chemistry》 |2018年第10期|共10页

作者
Shuhei Nishinaga; Hiroki Mori; Yasushi Nishihara;
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作者单位

Division of Earth Life and Molecular Sciences Graduate School of Natural Science and Technology Okayama University 3-1-1 Tsushimanaka Kita-ku Okayama 700-8530 Japan;

Research Institute for Interdisciplinary Science Okayama University 3-1-1 Tsushimanaka Kita-ku Okayama 700-8530 Japan;

Research Institute for Interdisciplinary Science Okayama University 3-1-1 Tsushimanaka Kita-ku Okayama 700-8530 Japan;

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正文语种 eng

中图分类有机化学;

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1. [J] . Shuhei Nishinaga, Hiroki Mori, Yasushi Nishihara The Journal of Organic Chemistry . 2018,第10期

机译：<！[CDATA [BIS [1]苯并噻吩的合成和晶体管应用[6,7- D ：6'，7' - D ']苯并[1,2 - b ：4,5- b '二苯硒]]]>

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