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机译:在晶体主机中的4F(6)电子配置中的4F(5)5D(1)状态的影响的新见解
Univ Geneva Dept Phys Chem Sci 2 30 Quai Ernest Ansermet CH-1211 Geneva 4 Switzerland;
Univ Geneva Dept Phys Chem Sci 2 30 Quai Ernest Ansermet CH-1211 Geneva 4 Switzerland;
机译:在晶体主机中的4F(6)电子配置中的4F(5)5D(1)状态的影响的新见解
机译:在4f〜(2)5d→4f〜(3)上K_(2)YF_(5)和LiYF_(4)晶体主体中Nd〜(3+)离子的构型转变
机译:宽带隙晶体中三价稀土离子的4f〜(n-1)5d电子构型的高激发电子态的晶体场分裂
机译:4F {sup} n和4f {sup}(n-1)5d在宽带隙氟化物介电晶体中的Tb {sup}(3+)离子的电子配置
机译:氧对纳米晶硅电子性能的影响。
机译:AU 4F核心级电子结构中的旋转轨道耦合效应在支撑的低维金纳米粒子中
机译:VUV-UV 5D-4F间Nd3 +在BAMGF4铁电晶体中的互联转变
机译:近紫外波长的能量转移和非线性光学性质:晶体和玻璃中的稀土4f - > 5d跃迁。最终报告,1984年6月1日 - 1992年5月31日。