机译:了解原子层沉积过程中固有的底物选择性:表面制备,羟基密度和金属氧化物组合物在钨ALD期间对核切割机制的影响
North Carolina State Univ Dept Chem &
Biomol Engn Raleigh NC 27695 USA;
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机译:了解原子层沉积过程中固有的底物选择性:表面制备,羟基密度和金属氧化物组合物在钨ALD期间对核切割机制的影响
机译:理解SiC等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的机理,以及密度函数理论的朝向SiC原子层沉积(ALD)的发展途径
机译:钨原子层沉积过程中使用氢扩展固有的底物选择性窗口
机译:使用固有的基材依赖性成核以促进金属和金属氧化物选择性区域原子层沉积
机译:使用固有的基底依赖性方法的区域选择性原子层沉积硅化物和氧化物
机译:单层氧化钛的原子层沉积石墨烯:关于了解成核和原子化的原子尺度研究成长性
机译:可还原氧化物表面上金属烷基酰胺,烷基和卤化物的分解:将电介质原子层沉积到III-V衬底上的“清理”机理