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机译:带宽控制和填充控制的压力诱导的MOTT绝缘体与分子化合物中金属转变之间的相互作用[Au(et-thiazdt)(2)]
Univ Tours UFR Sci GREMAN CNRS UMR CEA 7347 Parc Grandmont F-37200 Tours France;
Univ Tours UFR Sci GREMAN CNRS UMR CEA 7347 Parc Grandmont F-37200 Tours France;
Univ Tours UFR Sci GREMAN CNRS UMR CEA 7347 Parc Grandmont F-37200 Tours France;
Univ Rennes CNRS ISCR UMR 6226 F-35000 Rennes France;
Univ Roma Sapienza CNR IOM Ple Aldo Moro 2 I-00185 Rome Italy;
Elettra Sincrotrone Trieste SCpA AREA Sci Pk I-34149 Trieste Italy;
Univ Tours UFR Sci GREMAN CNRS UMR CEA 7347 Parc Grandmont F-37200 Tours France;
Univ Tours UFR Sci GREMAN CNRS UMR CEA 7347 Parc Grandmont F-37200 Tours France;
Univ Tours UFR Sci GREMAN CNRS UMR CEA 7347 Parc Grandmont F-37200 Tours France;
Univ Tours UFR Sci GREMAN CNRS UMR CEA 7347 Parc Grandmont F-37200 Tours France;
机译:带宽控制和填充控制的压力感应Mott绝缘子与分子化合物[Au(Et-thiazdt)_2]中的金属跃迁之间的相互作用
机译:稀土钛酸盐在填充控制的Mott金属-绝缘体过渡过程中晶格的响应
机译:晶格对稀土钛酸填充控制的Mott金属绝缘体过渡的响应
机译:第18章金属绝缘体过渡机构和传感器使用Mott Insulator VO2
机译:Mott绝缘子Ca2Ru1–xM xO4(M = 3d过渡金属离子)中的磁阶和轨道阶与负热膨胀耦合。
机译:绝缘体-金属莫特跃迁中的无序感应幂律间隙
机译:带宽控制和填充控制的压力感应Mott绝缘子与分子化合物中的金属过渡之间的相互作用[Au(Et-thiazdt)$ _ 2 $]