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机译:通过反应等离子体离子沉积获得的ALN纳米型膜的结构,电子和光学性能的GaAs(100)底物错误化的影响
Voronezh State Univ Univ Skaya Sq 1 Voronezh 394018 Russia;
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Ioffe Inst Politekhnicheskaya Str 26 St Petersburg 1940215 Russia;
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机译:通过反应等离子体离子沉积获得的ALN纳米型膜的结构,电子和光学性能的GaAs(100)底物错误化的影响
机译:底物对蒸汽相外延产生的集成GaAs / Si(100)异质结构的结构和光学性质的影响及初步蚀刻
机译:基质温度对GaAs(100)衬底上生长的CdTe(100)表观膜的结构和光学性质的影响
机译:衬底位置对反应溅射ZnO薄膜的结构,形态和光学性质的影响
机译:通过掠角沉积沉积的喹啉金属螯合物薄膜的光学和结构性质。
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:N2 / H2和氨氮源材料对等离子增强原子层沉积生长AlN薄膜的光学和结构性能的影响
机译:基体组成对反应溅射alN薄膜压电响应的影响;薄固体薄膜