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机译:单轴应变诱导复合物II型INGAAS / INAS /纳米纳米级异质结构的光学性质
Banasthali Univ Dept Elect Banasthali 304022 Rajasthan India;
Banasthali Univ Dept Phys Banasthali 304022 Rajasthan India;
Aligarh Muslim Univ Dept Elect Fo Engn &
Technol Aligarh 202002 Uttar Pradesh India;
Aligarh Muslim Univ Dept Elect Fo Engn &
Technol Aligarh 202002 Uttar Pradesh India;
Banasthali Univ Dept Phys Banasthali 304022 Rajasthan India;
Uniaxial strain; Optical gain; InAs; InGaAs; GaAsSb; k.p method;
机译:单轴应变诱导复合物II型INGAAS / INAS /纳米纳米级异质结构的光学性质
机译:W形II型Gaassb / InGaAs / Inalas纳米异质结构的光学增益的单轴超高压依赖性调谐
机译:通过Gaassb,IngaAs和Ingaassb应变减少层纵向InAs / GaAs量子点的光学性质
机译:SWIR范围内外部单轴应变下II型掺杂AlSb / InAs纳米异质结构中的光响应计算
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:通过InAlAs中间层改变GaAsSb封盖的InAs量子点的光学性质
机译:具有Gaassb应变减少的Inas量子点的电子结构 层:孔的局部化及其对光学性质的影响