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机译:GaN / ALN量子盘纳米棒280nm深紫色发光二极管通过分子束外延
机译:GaN / ALN量子盘纳米棒280nm深紫色发光二极管通过分子束外延
机译:基于超薄GaN / AlN多量子阱的高效电子束泵浦亚240纳米紫外发射器,该等离子体阱是在c-Al_2O_3上通过等离子体辅助分子束外延生长的
机译:等离子辅助分子束外延在半极性GaN
机译:等离子体辅助分子束外延对260 nm紫外发光二极管进行AlGaN-Delta-GaN QW演示
机译:利用氢化物气相外延和分子束外延技术开发基于氮化镓的紫外和可见光发光二极管。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:出版商注:“紫外线发光二极管在Semipolar GaN(202¯1)基板上的等离子体辅助分子束外延生长”Appl。物理。吧。 102,111107(2013)