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【24h】

Actively tunable terahertz coding metasurfaces

机译:积极调谐的太赫兹编码元锉

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摘要

Lately, programmable metasurfaces have been proposed by adding a PIN diode between two metallic patches in microwave region. However, the pin-diode switches can only operate at relatively lower frequencies (< 60 GHz), the conventional electronic method of device design used in the microwave band cannot easily be extended to the terahertz frequency regime. Here, we describe a new design principle for the actively tunable terahertz wave coding metasurfaces using vanadium dioxide embedded metallic patch. The radar cross section (RCS) reduction and radiation patterns of our new coding scheme can be altered using the metal-insulator transition of vanadium dioxide at around 68 degrees C. To the best of our knowledge, this is the first time that an active control of programmable coding metasurfaces was demonstrated at terahertz regime.
机译:最近,通过在微波区域中的两个金属贴片之间添加PIN二极管来提出可编程元垫。 然而,引脚二极管开关只能在相对较低的频率(<60GHz)下操作,微波频带中使用的设备设计的传统电子方法不能容易地扩展到太赫兹频率状态。 在这里,我们描述了使用二氧化钒嵌入金属贴片的积极可调的太赫兹波编码元件的新设计原理。 我们的新编码方案的雷达横截面(RCS)还原和辐射模式可以使用二氧化钒的金属绝缘体过渡在左右68摄氏度约为68℃。据我们所知,这是第一次主动控制 在太赫兹政权中证明了可编程编码元件。

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