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机译:Al掺杂在HFO2电阻开关中的灯丝中断的作用
CNR Lab MDM IMM Via C Olivetti 2 I-20864 Agrate Brianza MB Italy;
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RRAM; memristor; HfO2; modeling; doping; random telegraph noise; retention;
机译:Al掺杂在HFO2电阻开关中的灯丝中断的作用
机译:PcrA介导的RecA核蛋白细丝破坏-RecA ATPase活性的重要作用
机译:通过热长丝化学气相沉积制备的各种硼掺杂金刚石膜的耐热性
机译:表面掺杂氟对提高空气中TiAl的抗氧化性的定量作用
机译:探测掺杂HFO2粉末材料的晶体结构和介电性能
机译:低力下MEMS和NEMS DC开关中接触电阻的不稳定性:外来膜在接触表面上的作用
机译:Al掺杂在HFO2RESISTANCE开关中的灯丝中断的作用