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机译:PT / CEO2 / PT横杆阵列结构中具有强大的模拟增强,凹陷和短期到长期记忆过渡的突触特征
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Phys Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
artificial synapse; memristors; CeO2; analog resistance change; crossbar array;
机译:PT / CEO2 / PT横杆阵列结构中具有强大的模拟增强,凹陷和短期到长期记忆过渡的突触特征
机译:神经氨酸酶抑制素抑制短期抑制并抑制大鼠海马突触传递的长期增强
机译:在IZO同质结突触晶体管中模仿的短期记忆到长期记忆转换
机译:自由活动大鼠中从长期抑郁到长期增强的转变与刺激频率的关系
机译:MCD肽受体的结构参与突触传递效率的长期增强的诱导,其功能由MCD肽调节。
机译:神经氨酸酶抑制引发短期抑郁症并抑制大鼠海马突触传递的长期增强。
机译:具有模拟,线性,对称和长期稳定突触重量调制的PT / ITO / CEO2 / PT忆阻器