机译:由石墨烯尖端和有缺陷的MOS2单层形成的接触中的力和电子传输:理论研究
Univ Paris Saclay CEA Saclay CNRS CEA SPEC F-91191 Gif Sur Yvette France;
Univ Paris Saclay CEA Saclay CNRS CEA SPEC F-91191 Gif Sur Yvette France;
Univ Granada Dept Elect &
Tecnol Comp Campus Fuente Nueva &
CITIC Campus Aynadamar E-18071 Granada Spain;
nc-AFM; graphene tip; DFT; electronic transport; MoS2 defects;
机译:由石墨烯尖端和有缺陷的MOS2单层形成的接触中的力和电子传输:理论研究
机译:共价官能化MOS2单层电子和运输性能的理论研究
机译:铁磁接触石墨烯薄片自旋相关电子输运的理论研究
机译:来自AB Initio研究的官能化石墨烯单层的机械,电子和运输性能
机译:石墨烯的直接氟化:对其形成以及由此产生的磁性和电子性质的理论和计算研究。
机译:金属接触在探测纯净和缺陷石墨烯纳米带传输特征中的作用的理论研究
机译:自旋相关电子传输的理论研究 铁磁性接触的石墨烯薄片