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Large-scale synthesis of nitrogen doped MoS2 quantum dots for efficient hydrogen evolution reaction

机译:氮掺杂MOS2量子点的大规模合成高效氢进化反应

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摘要

N doped MoS2 quantum dots (QDs) are fabricated on large scale using a facile sintering/etching/exfoliation process we first proposed. Compared to pure MoS2 and N-doped MoS2 nanosheets, N-MoS2 QDs exhibit high hydrogen evolution reaction (HER) activity with small onset overpotential of 82 mV, overpotential of 165mV at 10 mA/cm(2), a Tafel slope of 51.2 mV/dec and remarkable stability. The enhanced catalytic activity could be ascribed to the combination of increasing the active sites by reducing the size of MoS2 and improving the conductivity of MoS2 basal plane by chemical doping effect. This work paves a simplistic route for enhancing the HER activity of layered transition metal dichalcogenide based catalysts. (c) 2018 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译:n掺杂MOS2量子点(QDS)在大规模中制造了我们首先提出的烧结/蚀刻/剥离过程。 与纯MOS2和N掺杂MOS2纳米片相比,N-MOS2 QDS表现出高氢进化反应(她的)活性,具有82mV的小发起,10mA / cm(2)的过电位,Tafel斜率为51.2 mV / DEC和卓越的稳定性。 通过降低MOS2的尺寸并通过化学掺杂效果改善MOS2基底平面的导电性,可以将增强的催化活性归因于增加活性位点的组合。 这项工作铺设了一种简化途径,用于增强层状过渡金属二硫代甲基催化剂的催化剂的活性。 (c)2018年elestvier有限公司保留所有权利。

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