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日立化成、半導体パッケージ基板材料で熱膨張係数2.8ppm/℃実現

机译:日立化成半导体封装基板材料的热膨胀系数达到2.8ppm /°C

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摘要

日立化成工業は、次世代半導体パッケージ基板用材料として、ハロゲンフリー、高Tg(ガラス転位温度)、低熱膨張の「MCL-E-705Gシリーズ」および「MCL-E-800Gシリーズ」を開発し、量産を開始した。これまで培ってきた樹脂の設計·配合技術を活かし、従来の高Tg材と比べ熱膨張係数を30~70%低減し、様々な半導体パッケージにおいて「そり」を低減できる材料で、特にMCL-E-705Gシリーズの705G(LH)およびMCL-E-800Gシリーズの800G(L)では熱膨張係数2.8ppm/℃を達成し、大幅なそりの低減が可能となる。
机译:日立化成工业已经开发并批量生产了无卤素,高Tg(玻璃化转变温度)和低热膨胀性的“ MCL-E-705G系列”和“ MCL-E-800G系列”作为下一代半导体封装基板的材料。开始了利用迄今为止我们已经培养的树脂设计和复合技术,这种材料与传统的高Tg材料相比,可以将热膨胀系数降低30%至70%,并且可以减少各种半导体封装(尤其是MCL-E)中的“翘曲”。 -705G系列的705G(LH)和MCL-E-800G系列的800G(L)达到2.8ppm /°C的热膨胀系数,从而可以大大减少翘曲。

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